傳聞許久的國家存儲器戰(zhàn)略方案最終定案，由國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金股份有限公司、湖北省集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金股份有限公司、國開發(fā)展基金有限公司、湖北省科技投資集團有限公司共同出資建設(shè)的國家存儲器基地即將落地武漢東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)。項目總投資將達240億美元。3月28日在武漢東湖存儲器基地舉行啟動儀式。
從投資規(guī)模來看，這次國家存儲器大戰(zhàn)略中的產(chǎn)能規(guī)模預(yù)計20-30萬片（按照10k產(chǎn)能，2DNAND-3D NAND約7-9億美元的投資預(yù)估），而主要產(chǎn)品也并非之前傳言的主要發(fā)展DRAM方案，而是重點發(fā)展3D NAND，兼具一些2D NAND和DRAM產(chǎn)品。據(jù)悉，該項目技術(shù)以自研為主，其他關(guān)鍵技術(shù)來源目前還處于談判階段，可能合作的對象包括美光、IMEC等企業(yè)和機構(gòu)。
